PVD100 雙腔室高真空磁控濺射系統(tǒng)
產(chǎn)品概況
PVD-100 包含兩個超高真空腔體：進樣腔和磁控濺射腔，全自動化人機操作界面，采用單靶槍垂直向下濺射方案，支持射頻和直流電源，可用于沉積金屬或非金屬材料。
技術參數(shù)
基板加熱：RT-900oC
晶圓尺寸：最大支持12寸晶圓，并向下兼容
排氣速率：從ATM到1E-7Torr<20min (loadlock)
鍍膜均勻性：8英寸晶圓：不均勻性<±5% （去邊5 mm）
預處理功能：薄膜表面鈍化，射頻等離子體清洗，300℃高溫除氣
磁控濺射：直流（DC）或射頻（RF）電源, 基板與靶材距離連續(xù)可調(diào)
離子束刻蝕，刻蝕不均勻性：8英寸晶圓，刻蝕不均勻性<±5% （去邊 5mm）
高真空腔體：2個高真空腔體,包括Loadlock及Sputtering, 極限真空<5E-8 Torr
人機界面：全自動化人機操作界面
相關產(chǎn)品
QBT-P 雙腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)
具備超高真空背景環(huán)境，全自動操作，可實現(xiàn)高質(zhì)量薄膜沉積，目前韞茂QBT-P磁控濺射系列可生長出高質(zhì)量α相鉭膜，在高溫和常溫下都可以得到高質(zhì)量的鉭膜，鉭膜的Tc超過4.25 K，并且剩余電阻比大于6。 用韞茂QBT-P 系列制備的Ta可實現(xiàn)低損耗的超導電路制備，單光子品質(zhì)因數(shù)超過100萬，且對應的量子比特相干時間超過250μs
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)
QBT-P L3 包含三個工藝腔體。它比 QBT-P 多一個濺射腔，能夠制備多層結(jié)構(gòu)，如 Nb/Al-AlOx/Nb、Al/AlOx/Al，甚至是 α-Ta/TaOx/α-Ta。該系統(tǒng)同樣兼容基于種子層的工藝。
QBT-MPV 雙腔室多靶槍公轉(zhuǎn)超高真空磁控濺射系統(tǒng)
QBT-MPV 為QBT-P的升級版系統(tǒng)。較于QBT-P，QBT-MPV在一個濺射腔中可最多包含4個靶槍（按需），可進行多層工藝，例如Nb/Al-AlOx/Nb, Al/AlOx/Al, 或者 α-Ta/TaOx/α-Ta。該系統(tǒng)同樣兼容基于種子層的工藝。
QBT-MPC 雙腔室多靶槍共聚焦超高真空磁控濺射系統(tǒng)
QBT-MPC 包含兩個超高真空腔體, 進樣腔和磁控濺射腔，配備全自動化人機操作界面。該系統(tǒng)配備了多個濺射靶槍，并且可進行原位傾斜，用于共聚焦濺射工藝。QBT-MPC 是最先進的濺射系統(tǒng)，可以用于多個材料領域，例如自旋電子器件、拓撲材料、相變材料、超導材料等。
