應(yīng)用領(lǐng)域
APPLICATIONS
新型器件應(yīng)用
超高真空薄膜沉積設(shè)備，具備超高真空背景環(huán)境(10-9~10-11 Torr), 可實現(xiàn)在超潔凈的環(huán)境中高質(zhì)量的薄膜沉積。韞茂超高真空設(shè)備平臺，包括物理氣相沉積設(shè)備和原子層沉積設(shè)備。其中，物理氣相沉積設(shè)備包括：磁控濺射設(shè)備和蒸發(fā)設(shè)備，可廣泛應(yīng)用于超導(dǎo)電子器件、光學(xué)微納器件、自旋電子芯片、3D芯片封裝、鐵電材料芯片、存儲芯片以及能源存儲器件等領(lǐng)域。通過對晶圓執(zhí)行高精度的運動和溫度調(diào)控以及腔室真空系統(tǒng)的專業(yè)設(shè)計，韞茂超高真空設(shè)備平臺可實現(xiàn)高均勻性、優(yōu)異結(jié)晶性以及超平整表面的高質(zhì)量薄膜沉積，為各個領(lǐng)域的器件制備提供先進的整體解決方案。
相關(guān)產(chǎn)品
QBT-A 雙腔室高真空等離子體ALD
用于低氧含量的薄膜沉積，主要應(yīng)用于 TiN 沉積，例如射頻電路超低損耗和 TSV 填充工藝。其獨特的設(shè)計最大限度地減少了工藝腔室中的氧含量。
QBT-P 雙腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)
具備超高真空背景環(huán)境，全自動操作，可實現(xiàn)高質(zhì)量薄膜沉積，目前韞茂QBT-P磁控濺射系列可生長出高質(zhì)量α相鉭膜，在高溫和常溫下都可以得到高質(zhì)量的鉭膜，鉭膜的Tc超過4.25 K，并且剩余電阻比大于6。 用韞茂QBT-P 系列制備的Ta可實現(xiàn)低損耗的超導(dǎo)電路制備，單光子品質(zhì)因數(shù)超過100萬，且對應(yīng)的量子比特相干時間超過250μs
QBT-J 四腔室雙傾角超高真空鍍膜系統(tǒng)
采用線性級聯(lián)技術(shù)，集成了進樣/預(yù)處理、離子銑、蒸發(fā)以及氧化四個腔室。整套系統(tǒng)全自動運行，操作簡單，易于維護，并且采用抓取傳送方式，減少了顆粒物的產(chǎn)生?；赒BT-J系列，客戶可研發(fā)出高質(zhì)量的超導(dǎo)器件，在諸多領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。
QBT-E 雙腔室超高真空電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)
標(biāo)準(zhǔn)化的鍍膜系統(tǒng)，超高真空環(huán)境可以實現(xiàn)高質(zhì)量的薄膜沉積：金屬、介電材料、光學(xué)薄膜、磁性薄膜等。樣品操作包括傾斜和旋轉(zhuǎn)，或Z軸移動和旋轉(zhuǎn)，從而能夠制備三維結(jié)構(gòu)。
QBT-T 雙腔室等離子體硅片及粉末ALD
用于微納加工，粉末或極片包覆。
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)
QBT-P L3 包含三個工藝腔體，比 QBT-P 多一個濺射腔，能夠制備多層結(jié)構(gòu)，如 Nb/Al-AlOx/Nb、Al/AlOx/Al，甚至是 α-Ta/TaOx/α-Ta。該系統(tǒng)同樣兼容基于種子層的工藝。
