產(chǎn)品
PRODUCT
ALD
原子層沉積（atomic layer deposition,ALD）,是一種特殊的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，是通過將氣相前驅(qū)體脈沖 交替通入反應(yīng)腔室并在沉積基體表面發(fā)生化學(xué)吸附反應(yīng)形成薄膜的一種方法具有優(yōu)異的三維共型性，均勻性 精確的納米級膜厚控制等特點(diǎn)。
以經(jīng)典的三甲基鋁與水反應(yīng)生成氧化鋁為例：
半反應(yīng)a：-OH? + Al(CH3)3(g ) → - O - Al(CH3)2? + CH4(g)
半反應(yīng)b：- O - Al(CH3)2 + 2H2O(g) → - O - Al(OH)2? + 2CH4(g)
總反應(yīng)：2Al(CH3)3 + 3H2O → Al2O3 + 6CH4
ALD作為一種新型的化學(xué)氣相包覆手段，能夠?qū)崿F(xiàn)對被包覆材料不規(guī)則表面的完全賦型包覆它具有如下特點(diǎn)：
線性可控的包覆層厚度，0.1~0.2nm/cycle；
包覆層均勻且致密；
低溫生長，部分薄膜可室溫下生長；
可多組分疊層結(jié)構(gòu)生長；
包覆材料選擇多樣性。
