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Evaporator 相關(guān)產(chǎn)品
QBT-J 四腔室雙傾角超高真空鍍膜系統(tǒng)
采用線性級(jí)聯(lián)技術(shù)，集成了進(jìn)樣/預(yù)處理、離子銑、蒸發(fā)以及氧化四個(gè)腔室。整套系統(tǒng)全自動(dòng)運(yùn)行，操作簡(jiǎn)單，易于維護(hù)，并且采用抓取傳送方式，減少了顆粒物的產(chǎn)生。基于QBT-J系列，客戶可研發(fā)出高質(zhì)量的超導(dǎo)器件，在諸多領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。
QBT-E 雙腔室超高真空電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)
標(biāo)準(zhǔn)化的鍍膜系統(tǒng)，包含兩個(gè)腔體：進(jìn)樣腔（預(yù)處理）和蒸發(fā)腔。超高真空環(huán)境可以實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的薄膜沉積：金屬、介電材料、光學(xué)薄膜、磁性薄膜等。樣品操作包括傾斜和旋轉(zhuǎn)，或Z軸移動(dòng)和旋轉(zhuǎn)，從而能夠制備三維結(jié)構(gòu)。
QBT-I 雙腔室高速鍍膜系統(tǒng)
QBT-I 是一款用于高速蒸鍍銦柱的熱蒸發(fā)系統(tǒng)。由于銦熔點(diǎn)較低，需要在低溫下沉積，因此該系統(tǒng)配備深冷，可將樣品冷卻至-70℃，以此保證銦柱表面的光滑，并且配備快速晶振更換模塊，可實(shí)現(xiàn)銦的連續(xù)沉積。此系統(tǒng)為倒裝芯片工藝和 3D 堆疊芯片技術(shù)提供了解決方案。
