工業(yè)型設(shè)備
研發(fā)型設(shè)備
QBT-MPV 雙腔室多靶槍公轉(zhuǎn)超高真空磁控濺射系統(tǒng)
產(chǎn)品概況
QBT-MPV 為QBT-P的升級(jí)版系統(tǒng)。較于QBT-P，QBT-MPV 在一個(gè)濺射腔中可最多包含4個(gè)靶槍（按需），可進(jìn)行多層工藝，例如Nb/Al-AlOx/Nb, Al/AlOx/Al, 或者 α-Ta/TaOx/α-Ta。該系統(tǒng)同樣兼容基于種子層的工藝。
技術(shù)參數(shù)
外形尺寸(L x W x H)：2600*1600*2200 mm
工藝腔極限真空：≤3E-9 Torr
工藝溫度：0-900°C或晶圓冷卻
樣品尺寸：最大標(biāo)配4 英寸晶圓，兼容碎片
均勻性：4英寸晶圓，不均勻性<±5% （去邊5 mm）
磁控靶槍：4個(gè)4~6英寸超高真空磁控靶槍（可定制）
濺射電源：1KW 直流電源 或 750W 射頻電源及全自動(dòng)匹配器（按需定制）
鍍膜均勻性：薄膜電阻均勻性NU%<±3% (在3英寸晶圓上去除邊緣的5mm）
應(yīng)用領(lǐng)域
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QBT-P 雙腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)
具備超高真空背景環(huán)境，全自動(dòng)操作，可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量薄膜沉積，目前韞茂QBT-P磁控濺射系列可生長(zhǎng)出高質(zhì)量α相鉭膜，在高溫和常溫下都可以得到高質(zhì)量的鉭膜，鉭膜的Tc超過4.25 K，并且剩余電阻比大于6。 用韞茂QBT-P 系列制備的Ta可實(shí)現(xiàn)低損耗的超導(dǎo)電路制備，單光子品質(zhì)因數(shù)超過100萬(wàn)，且對(duì)應(yīng)的量子比特相干時(shí)間超過250μs
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