QBT-P L3 三腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)
產品概況
QBT-P L3 包含三個工藝腔體,比 QBT-P 多一個濺射腔,能夠制備多層結構,如 Nb/Al-AlOx/Nb、Al/AlOx/Al,甚至是 α-Ta/TaOx/α-Ta。該系統(tǒng)同樣兼容基于種子層的工藝。
技術參數(shù)
超高真空腔體:多個超高真空腔體,包括Loadlock及Sputtering, 極限真空<3E-9Torr
基板加熱:RT-900oC
人機界面:全自動化人機操作界面
安全:工業(yè)標準安全互鎖,報警,EMO
晶圓尺寸:最大兼容6英寸晶圓,且向下兼容
基板傳輸:高度可靠和可重復的基板傳輸能力
排氣速率:從ATM到1E-7Torr<20min (loadlock)
均勻性:4英寸晶圓,不均勻性<±5% (去邊5 mm)
磁控濺射:直流(DC)或射頻(RF)電源, 基板與靶材距離連續(xù)可調