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QBT-P L3 三腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)

韞茂科技產品概況

QBT-P L3 包含三個工藝腔體,比 QBT-P 多一個濺射腔,能夠制備多層結構,如 Nb/Al-AlOx/Nb、Al/AlOx/Al,甚至是 α-Ta/TaOx/α-Ta。該系統(tǒng)同樣兼容基于種子層的工藝。

韞茂科技技術參數(shù)

超高真空腔體:多個超高真空腔體,包括Loadlock及Sputtering, 極限真空<3E-9Torr

基板加熱:RT-900oC

人機界面:全自動化人機操作界面

安全:工業(yè)標準安全互鎖,報警,EMO

晶圓尺寸:最大兼容6英寸晶圓,且向下兼容

基板傳輸:高度可靠和可重復的基板傳輸能力

排氣速率:從ATM到1E-7Torr<20min (loadlock)

均勻性:4英寸晶圓,不均勻性<±5% (去邊5 mm)

磁控濺射:直流(DC)或射頻(RF)電源, 基板與靶材距離連續(xù)可調

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PBATCH 批次等離子體ALD
CBATCH 100s 批次熱ALD
CBATCH 300s 批次熱ALD
MPCVD 金剛石CVD
SICE-Y8 碳化硅外延CVD系統(tǒng)
KG 工業(yè)級粉末ALD
SCA 工業(yè)級粉末CVD
QBT-A 雙腔室高真空等離子體ALD
MINI 科研型桌式ALD
PVD100 雙腔室高真空磁控濺射系統(tǒng)
QBT-P 雙腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)
QBT-MPV 雙腔室多靶槍公轉超高真空磁控濺射系統(tǒng)
QBT-MPC 雙腔室多靶槍共聚焦超高真空磁控濺射系統(tǒng)
QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)
QBT-J 四腔室雙傾角超高真空鍍膜系統(tǒng)
QBT-E 雙腔室超高真空電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)
QBT-I 雙腔室高速鍍膜系統(tǒng)
GM 研發(fā)型粉末ALD
QBT-T 雙腔室等離子體硅片及粉末ALD
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