應(yīng)用領(lǐng)域
APPLICATIONS
先進(jìn)光顯
韞茂自主研發(fā)的批次式 ALD及PEALD,可應(yīng)用于 Mini/Micro LED、先進(jìn)光學(xué)、AR/VR等前沿領(lǐng)域。設(shè)備可實(shí)現(xiàn)納米級(jí)精度的薄膜沉積控制與高效量產(chǎn)能力的統(tǒng)一,為行業(yè)在突破產(chǎn)能瓶頸與產(chǎn)品性能上提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。以核心產(chǎn)品批次等離子體ALD為例,其采用自主創(chuàng)新的多腔體協(xié)同沉積技術(shù),可在復(fù)雜基底表面實(shí)現(xiàn)厚度偏差<1%的均勻成膜。特別在光學(xué)薄膜領(lǐng)域,該設(shè)備成功攻克可見光波段平均反射率R<0.1%的超低反射光學(xué)薄膜沉積工藝,相較傳統(tǒng)技術(shù)將光損耗降低60%以上,為高清光學(xué)成像、極端復(fù)雜光學(xué)條件下的可靠成像、衍射波導(dǎo)、超透鏡等新一代光學(xué)器件的量產(chǎn)提供了創(chuàng)新型工藝解決方案。
相關(guān)產(chǎn)品
PBATCH 批次等離子體ALD
可實(shí)現(xiàn)低溫高質(zhì)量的等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝,兼容熱式ALD及等離子體增強(qiáng)ALD工藝,可在玻璃、有機(jī)材料、高分子材料、金屬或陶瓷等材質(zhì)的基底沉積SiO2、Al2O3、TiO2等高質(zhì)量的薄膜。該設(shè)備具有極優(yōu)的鍍膜均勻性、重復(fù)性及可靠性,同時(shí)兼顧行業(yè)領(lǐng)先的產(chǎn)能及良率。
CBATCH 300s 批次熱ALD
多片批次式ALD,能夠?qū)崿F(xiàn)全自動(dòng)、多片、連續(xù)化生產(chǎn),有效提高產(chǎn)能,降低COO;能夠?qū)崿F(xiàn)原子級(jí)別的精確控制,ALD沉積薄膜無(wú)針孔,質(zhì)量高,可作為高K值介質(zhì)層,金屬層,封裝層,電鍍種子層及其他功能層應(yīng)用,廣泛應(yīng)用于Mini/Micro LED, 第三代半導(dǎo)體,以及集成電路制造等領(lǐng)域。
CBATCH 100s 批次熱ALD
4/6 inch LED 生產(chǎn)線的原子層沉積系統(tǒng),面向圖形化和平面藍(lán)寶石襯底微納器件氧化層封裝鍍膜的需要。