CBATCH 100s 批次熱ALD
產(chǎn)品概況
4/6 inch LED 生產(chǎn)線的原子層沉積系統(tǒng),面向圖形化和平面藍寶石襯底微納器件氧化層封裝鍍膜的需要。
技術參數(shù)
專利的架構設計,有效提高產(chǎn)能,降低COO
可擴展模塊設計,產(chǎn)能、腔體增加同時保證鍍膜質量
獨特氣流設計,多片鍍膜保持良好的WIW均勻性?NU<1.5%,W2W<2.5%,B2B<2.5%,前驅體消耗量更少
CBATCH 100s 批次熱ALD
產(chǎn)品概況
4/6 inch LED 生產(chǎn)線的原子層沉積系統(tǒng),面向圖形化和平面藍寶石襯底微納器件氧化層封裝鍍膜的需要。
技術參數(shù)
專利的架構設計,有效提高產(chǎn)能,降低COO
可擴展模塊設計,產(chǎn)能、腔體增加同時保證鍍膜質量
獨特氣流設計,多片鍍膜保持良好的WIW均勻性?NU<1.5%,W2W<2.5%,B2B<2.5%,前驅體消耗量更少
應用領域
FAQ
CBATCH的控溫均勻性如何?
工藝腔采用內、外腔設計,具有出色的溫控均勻性
CBATCH的主要有哪些領域的工藝應用?
mini LED背光鈍化、RGB紅黃提亮及鈍化、高功率GaN LED鈍化、Vcsel鈍化、Micro LED顯示側壁鈍化等
CBATCH的做出的膜層相較其他競品有什么優(yōu)勢?
1、提高器件雙85良品率;2、降低器件反向漏電;3、超大產(chǎn)能有效降低COO;4、多腔體設計可保證更高的潔凈度,適合Micro LED及微顯示、車載等高端產(chǎn)品量產(chǎn)等
相關產(chǎn)品
PBATCH 批次等離子體ALD
可實現(xiàn)低溫高質量的等離子體增強原子層沉積工藝,兼容熱式ALD及等離子體增強ALD工藝,可在玻璃、有機材料、高分子材料、金屬或陶瓷等材質的基底沉積SiO2、Al2O3、TiO2等高質量的薄膜。該設備具有極優(yōu)的鍍膜均勻性、重復性及可靠性,同時兼顧行業(yè)領先的產(chǎn)能及良率。
CBATCH 300s 批次熱ALD
多片批次式ALD,能夠實現(xiàn)全自動、多片、連續(xù)化生產(chǎn),有效提高產(chǎn)能,降低COO;能夠實現(xiàn)原子級別的精確控制,ALD沉積薄膜無針孔,質量高,可作為高K值介質層,金屬層,封裝層,電鍍種子層及其他功能層應用,廣泛應用于Mini/Micro LED,第三代半導體,以及集成電路制造等領域。