PBATCH 批次等離子體ALD
產(chǎn)品概況
可實(shí)現(xiàn)低溫高質(zhì)量的等離子體增強(qiáng)原子層沉積工藝，兼容熱式ALD及等離子體增強(qiáng)ALD工藝，可在玻璃、有機(jī)材料、高分子材料、金屬或陶瓷等材質(zhì)的基底沉積SiO2、Al2O3、TiO2等高質(zhì)量的薄膜。該設(shè)備具有極優(yōu)的鍍膜均勻性、重復(fù)性及可靠性，同時兼顧行業(yè)領(lǐng)先的產(chǎn)能及良率。
技術(shù)參數(shù)
可見光范圍內(nèi)反射率R<0.1%
鍍膜均勻性、重復(fù)性及可靠性業(yè)界領(lǐng)先
最大樣品尺寸12寸,實(shí)現(xiàn)全自動、多片、大批量生產(chǎn)
可在整個鏡片的外表面及3D微納結(jié)構(gòu)上進(jìn)行保形沉積
批次性多腔結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)大幅提高產(chǎn)能，顯著降低ALD技術(shù)的使用成本
可在同一工藝腔室內(nèi)實(shí)現(xiàn)等離子體清洗，及SiO2、Al2O3、TiO2不同薄膜的任意組合交替沉積
