QBT-T 雙腔室等離子體硅片及粉末ALD
產(chǎn)品概況
用于微納加工，粉末或極片包覆。
技術(shù)參數(shù)
腔體:雙腔體設(shè)計(jì)（1個(gè)硅片PEALD腔室，1個(gè)粉末ALD腔室），每個(gè)腔體獨(dú)立控制，雙倍產(chǎn)出
等離子體:最大3kW RF自匹配電源
最大基板尺寸:Ф150mm (可定制）
高精準(zhǔn)樣品加熱控制:RT-300±1oC
臭氧發(fā)生器:可選配，生產(chǎn)效率15g/h
人機(jī)界面:全自動(dòng)化人機(jī)操作界面
前驅(qū)體:最大可包括3組等離子體反應(yīng)氣體 5組液態(tài)或固態(tài)反應(yīng)前驅(qū)體
