QBT-A 雙腔室高真空等離子體ALD
產(chǎn)品概況
用于低氧含量的薄膜沉積，主要應用于 TiN 沉積，例如射頻電路超低損耗和 TSV 填充工藝。其獨特的設計最大限度地減少了工藝腔室中的氧含量。
技術參數(shù)
工藝腔極限真空：<5E-8Torr
高精準樣品加熱控制：RT-500±1oC
等離子體：最大600W射頻（RF）自匹配電源
臭氧發(fā)生器：可選配，生產(chǎn)效率15g/h
最大基板尺寸：Ф200mm，氧化鋁均勻性<1%
前驅(qū)體：最大可包括3組等離子體反應氣體 4組液態(tài)或固態(tài)反應前驅(qū)體
應用領域
FAQ
QBT-A可以做哪些工藝？
TiN、SiN、AlN、NbN等氮化物、SiO2、Al2O3、HfO2、TiO2等氧化物、Mo、Cu
QBT-A可以做多大尺寸的wafer？
8寸及以下
QBT-A的氮化物薄膜含氧量可以做到多低？
配備分子泵，極限真空達5E-8torr以下，并配備氣體純化器，氮化物薄膜的氧量≤0.5%
