QBT-P 雙腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)
產(chǎn)品概況
具備超高真空背景環(huán)境，全自動(dòng)操作，可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量薄膜沉積，目前韞茂QBT-P磁控濺射系列可生長(zhǎng)出高質(zhì)量α相鉭膜，在高溫和常溫下都可以得到高質(zhì)量的鉭膜，鉭膜的Tc超過(guò)4.25 K，并且剩余電阻比大于6。 用韞茂QBT-P 系列制備的Ta可實(shí)現(xiàn)低損耗的超導(dǎo)電路制備，單光子品質(zhì)因數(shù)超過(guò)100萬(wàn)，且對(duì)應(yīng)的量子比特相干時(shí)間超過(guò)250μs
技術(shù)參數(shù)
基板加熱：RT-900oC
晶圓尺寸：最大支持12寸晶圓，并向下兼容
排氣速率：從ATM到1E-7Torr<20min (loadlock)
磁控濺射：直流（DC）或射頻（RF）電源, 基板與靶材距離連續(xù)可調(diào)
超高真空腔體：2個(gè)超高真空腔體,包括Loadlock及Sputtering, 極限真空<3E-9Torr
離子束刻蝕，刻蝕不均勻性：8英寸晶圓，刻蝕不均勻性<±5% （去邊 5mm）
預(yù)處理功能：薄膜表面鈍化，射頻等離子體清洗，300℃高溫除氣
鍍膜均勻性：8英寸晶圓：不均勻性<±5% （去邊5 mm）
人機(jī)界面：全自動(dòng)化人機(jī)操作界面
