SICE-Y8 碳化硅外延CVD系統(tǒng)
產(chǎn)品概況
SICE-Y6/8的SiC外延工藝兼容6英寸和8英寸，可實現(xiàn)P&N型摻雜。反應腔采用水平熱壁式設計，自有五路進氣噴嘴和多元混氣設計，形成穩(wěn)定均勻流場；反應腔采用感應線圈加熱，提供均勻溫場，從而確保優(yōu)異工藝指標。
技術參數(shù)
熱壁感應加熱系統(tǒng)，溫場均勻
優(yōu)異的產(chǎn)品指標，提高器件性能
多種混氣機制，提供多元工藝需求
高產(chǎn)出、低生產(chǎn)成本，投資回報最大化
