工業(yè)型設(shè)備
研發(fā)型設(shè)備
ALD
Plasma Batch ALD
PBATCH 批次等離子體ALD
Thermal Batch ALD
CBATCH 100s 批次熱ALD
CBATCH 300s 批次熱ALD
CVD
MPCVD 金剛石CVD
Epitaxy
SICE-Y8 碳化硅外延CVD系統(tǒng)
Powder ALD/CVD
KG 工業(yè)級(jí)粉末ALD
SCA 工業(yè)級(jí)粉末CVD
Single Wafer ALD
QBT-A 雙腔室高真空等離子體ALD
MINI 科研型桌式ALD
Sputter
單陰極垂直濺射系列
PVD100 雙腔室高真空磁控濺射系統(tǒng)
QBT-P 雙腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)
QBT-P L3 三腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)
多陰極垂直濺射系列
QBT-MPV 雙腔室多靶槍公轉(zhuǎn)超高真空磁控濺射系統(tǒng)
多陰極共聚焦濺射系列
QBT-MPC 雙腔室多靶槍共聚焦超高真空磁控濺射系統(tǒng)
定制系列(MP L)
QBT-MP·L3 多腔室超高真空磁控濺射系統(tǒng)
Evaporator
QBT-J 四腔室雙傾角超高真空鍍膜系統(tǒng)
QBT-E 雙腔室超高真空電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)
QBT-I 雙腔室高速鍍膜系統(tǒng)
Powder ALD
GM 研發(fā)型粉末ALD
QBT-T 雙腔室等離子體硅片及粉末ALD
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QBT-J的進(jìn)樣腔,離子束刻蝕腔,蒸發(fā)腔,氧化腔的極限真空分別是多少?
分別為≤5E-9Torr,≤9E-10Torr,≤9E-10Torr,≤1*10E-9Torr,